特許
J-GLOBAL ID：200903055343768006
半導体ウエハのバンプ電極めっき装置及びそのめっき方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129449
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295589
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 めっき槽にセットした半導体ウエハのめっき形状不良を抑え、チップ良品率を向上させる。【構成】 半導体ウエハ38の下側に設けられ、めっき液内に混入した気泡を半導体ウエハ38の外側方向に流す陽極Aと遮蔽板Bとでなる陽極部31と、外側方向に流されてくる気泡を捕獲し、気泡が半導体ウエハ38の下面に向かうのを止める間仕切板35とを備え、めっき液内の気泡が半導体ウエハ38の下面側に行かないようにしてめっきするようにした。
請求項（抜粋）：
めっき槽と、前記めっき槽の中におかれた陽極部および陰極部と、前記めっき槽中に半導体ウエハをセットするための手段と、めっき液を噴流させて半導体ウエハ上にバンプ電極を形成するめっき装置において、前記半導体ウエハの下側に設けられ、前記めっき槽内に混入した気泡を前記半導体ウエハの外側方向に流す手段と、前記外側方向に流されてくる前記気泡を捕獲し、前記気泡が前記半導体ウエハの下面に向かうのを阻止するための間仕切板とを備えたことを特徴とする半導体ウエハのバンプ電極めっき装置。
IPC (5件)：
C25D 5/02
, C25D 17/06
, C25D 17/12
, H01L 21/288
, H01L 21/321
