特許

J-GLOBAL ID：200903055348913047

CVD装置

発明者： 仁張 育夫 ,  佐藤 満雄 ,  大嶺 俊光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204491
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044038
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】この発明は、膜の成長速度をウェハの中心部と周辺部で等しくすることができるとともに、ウェハ全面に均一な厚みの膜を成長させることを目的とする。【構成】サセプタ34およびウェハ35を、発熱体46によって加熱した状態でモータ27により、これらを回転する。ディスパージョン・ヘッド15の複数のノズル15A、15Bはウェハ35と30mm以内の距離に配設され、このノズル15A、15Bから有機系シリコン化合物からなる反応ガスを吹出し、ウェハ35上に膜を形成する。このとき、サセプタ34の周速をガスの線速以上とすることにより、ウェハ全面に均一な速度で均一な厚みの膜を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

有機系シリコン化合物からなる反応ガスが供給される第1の収容部と、一端部が前記第1の収容部の内部に設けられ、第1の収容部に対して回転自在とされた中空の第2の収容部と、前記第2の収容部の上部に設けられ、ウェハを載置するサセプタと、前記第2の収容部の内部に設けられ、前記サセプタを加熱する加熱手段と、前記第1の収容部に設けられ、前記サセプタに載置されたウェハに前記反応ガスを供給する複数のノズルを有し、このノズルの先端部と前記ウェハの表面との距離が30mm以内に設定された反応ガスの供給手段と、前記サセプタの周速が前記供給手段から供給される反応ガスの線速以上の速度となるよう、前記第2の収容部を回転する駆動手段と、を具備することを特徴とするCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316