特許

J-GLOBAL ID：200903055350076969

多結晶半導体薄膜の製造方法。

発明者： 能口 繁 ,  岩多 浩志 ,  佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267860
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 一般に水素量の多い非晶質半導体薄膜を出発材料に用いた結晶成長膜において、その結晶粒界の水素による補償等の効果により特性は改善されるが、結晶成長温度が高温になるので、Vocには悪影響が生じる。そこで、上記結晶粒界の水素による補償等の効果を保ちつつ、結晶成長温度を低下させることにより、特性の全般的な改善を図ることを本発明の目的とする。【構成】 支持体上に形成された水素を含有する非晶質半導体薄膜に、熱処理を施すことによって、多結晶化せしめる多結晶半導体薄膜の製造方法において、上記非晶質半導体薄膜の支持体側に、膜中水素含有量の少ない領域を設けたことを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持体上に形成された水素を含有する非晶質半導体薄膜に、熱処理を施すことによって、多結晶化せしめる多結晶半導体薄膜の製造方法において、上記非晶質半導体薄膜の支持体側に膜中水素含有量の少ない領域を設けたことを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-033416
  
• 特開昭62-136334