特許
J-GLOBAL ID：200903055352858735
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067278
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266012
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル成長によらないで、溝側面に備えられる蓄積チャネル形成用のチャネル層を形成できるようにする。【解決手段】 n+ 型半導体基板1の主表面上に形成されたn- 型エピタキシャル層2の所定領域をLOCOS酸化して溝7を形成し、さらにLOCOS酸化膜34をマスクとしてイオン注入を行い、n- 型エピタキシャル層2のうち、溝7の側面7bから離間した位置にp型ベース領域3を形成する。このように、LOCOS酸化膜34をマスクとしたイオン注入によりn- 型エピタキシャル層2のうち、溝7の側面7bから離間した位置にp型ベース領域3を形成すれば、溝7の側面7bにおいてn- 型エピタキシャル層2を第1導電型のままで残すことができる。そして、この残された領域をチャネル層2aとする。
請求項（抜粋）：
溝(7)の側面(7a)に備えられた側壁チャネル膜(2a)をチャネル領域として、ソース電極層(12)とドレイン電極層(13)との間に流す電流のスイッチングを行う炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板(1)よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層(2)の所定領域をLOCOS酸化して溝(7)を形成する工程と、前記LOCOS酸化によって形成されたLOCOS酸化膜(34)をマスクとしてイオン注入を行い、前記半導体層(2)のうち、前記溝(7)の側面(7a)から離間した位置に第2導電型のベース領域(3)を形成することによって、該ベース領域(3)と前記溝(7)の側面(7a)との間を前記側壁チャネル膜(2a)として残す工程と、前記LOCOS酸化膜(34)を除去する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/16
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
