特許

J-GLOBAL ID：200903055353386705

半導体装置および半導体発光素子

発明者： 奥山 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143218
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332362
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 閾値電流密度および動作電圧の低減、ならびに、紫外線領域に及ぶ発光波長の短波長化を実現することのできる、高品質かつ高性能な窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子、電気的特性および光学的特性に優れた高バンドギャップの窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 GaN系半導体発光素子において、発光素子構造を形成する複数の半導体層の所望の層を、Bを含む窒化物系III-V族化合物半導体により構成し、かつ、その層のB組成を0.3以下とする。具体的には、サファイア基板1上に、B0.05Ga0.95Nバッファ層2を介して、B0.05Ga0.95N層3、n型B0.02Al0.03Ga0.95Nクラッド層4、n型GaN光導波層5、Ga0.85In0.15Nを量子井戸層とするMQW構造の活性層6、p型B0.1 Ga0.9 Nキャップ層7、p型GaN光導波層8、p型B0.02Al0.03Ga0.95Nクラッド層9およびp型B0.02Ga0.98Nコンタクト層10を順次積層し、レーザ構造を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体からなる複数の半導体層を有する半導体装置において、上記複数の半導体層のうちの少なくとも一部にBを含む窒化物系III-V族化合物半導体からなる層を含み、かつ、その層のB組成が0.3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/227

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 665

Fターム (17件)：

5F041AA11 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F073AA21 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23