特許

J-GLOBAL ID：200903055356682607

半導体ウェ-ハおよびその製造方法

発明者： 田中 恵一 ,  黒田 幸夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102477
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 薄くて高平坦度のウェーハを短時間に作製する。ウェーハに割れが生じず、製造上の歩留まりを高める。ワックス洗浄の手間を不要とする。再加工を容易にする。【解決手段】 あらかじめ片面を研磨した半導体ウェーハの反対面を片面研削で、その厚さを105〜120μmとする。研削後のウェーハ研磨面(酸化膜で被覆しても良い)を真空吸着してその研削面を研磨する。真空吸着した半導体ウェーハを、高速回転(1000rpm)させた研磨布で研磨する。この結果、表裏両面を研磨したウェーハで、厚さが100μm以下、かつ、その表裏両面はTTVで1μm以下のものが作製できる。薄いため、取り扱いで割れが生じ難い。高平坦度のため、マイクロ素子の作製収率が高まる。ワックスでの貼り付けやワックス洗浄などの手間がかからない。研磨量を低減できる。

請求項（抜粋）：

表裏両面を研磨した半導体ウェーハにおいて、その厚さが100μm以下で、かつ、その半導体ウェーハの表裏両面はTTVで1μm以下である半導体ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/02 B