特許
J-GLOBAL ID：200903055357810102
セラミック基板及びこれを用いた半導体装置並びにこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208671
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 メタルバリの発生のないセラミック基板と該基板を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 バイアホール2aと、その中に埋め込まれたベースメタルを露出させる溝部2bとからなる複数のサイドスルー電極2を具備するセラミック基板1aであって、溝部2bのセラミック基板1a側面における開口幅はバイアホール2aまたはこれに接続する配線メタル4が機械的位置ずれによってカッティングライン6に平行な方向にとりうる全ての範囲以上に大きくなるよう構成した。
請求項（抜粋）：
バイアホールと、側面に設けられ表裏面を貫通し前記バイアホール内に埋め込まれたベースメタルを露出させる溝部とからなる複数のサイドスルー電極を具備するセラミック基板であって、前記溝部の前記セラミック基板側面における開口幅は、前記バイアホールまたは該バイアホールに接続する配線メタルが機械的位置ずれによってカッティングラインに平行な方向にとりうる全ての範囲以上に大きいことを特徴とするセラミック基板。
引用特許：
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