特許

J-GLOBAL ID：200903055358472464

半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法

発明者： 大竹 成典 ,  横溝 剛一 ,  蒲原 史朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185660
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009244
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 内部回路の動作に悪影響を与えることなく電源電流変動が外部へ伝播してその高周波成分により電磁波が発生するのを有効に防止することができる半導体集積回路を実現する。【解決手段】 複数の電源用パッド(211)と複数の接地電位用パッド(212)とを有するLSIにおいて、上記複数の電源用パッドとLSI内部の電源ラインとの間にそれぞれ冗長な配線からなり互いにインピーダンスの値がほぼ等しいインダクタ(255)を設ける一方、複数の接地電位用パッドとLSI内部の接地ラインとの間にはインダクタを設けないようにした。

請求項（抜粋）：

複数の第1外部端子と、複数の第2外部端子と、上記複数の第1外部端子に印加された第1の電源電圧を内部回路に供給するための第1電源ラインと、上記複数の第2外部端子に印加された第2の電源電圧を内部回路に供給するための第2電源ラインと、上記複数の第1外部端子と上記第1電源ラインとの間にそれぞれ接続されかつインピーダンスの値が互いにほぼ等しい複数のインダクタとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G06F 17/50 658 ,  G06F 17/50 ,  G06F 17/50 666 ,  H01L 21/82

FI (7件)：

G06F 17/50 658 K ,  G06F 17/50 658 V ,  G06F 17/50 666 V ,  H01L 27/04 L ,  H01L 21/82 L ,  H01L 21/82 C ,  H01L 27/04 D

Fターム (20件)：

5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA04 ,  5B046JA10 ,  5F038AC10 ,  5F038AC14 ,  5F038AZ06 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE43 ,  5F064EE44 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09