特許

J-GLOBAL ID：200903055360552483

金属又は金属シリサイドの薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ハン・チヤン・ウル ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158569
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129300
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】シリコンを含まない金属又は金属シリサイドの薄膜を高速で堆積させる薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】金属ハロゲン化物及びシリコンを含む還元性気体からなる原料ガスを用い、化学気相成長により金属又は金属シリサイドの薄膜を形成する薄膜形成方法において、該原料ガスは、形成される薄膜中のシリコンの原子濃度を抑制する機能を有するガスを含む薄膜形成方法。また、この方法を用いて半導体装置の配線等を形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物及びシリコンを含む還元性気体からなる原料ガスを用い、化学気相成長により金属又は金属シリサイドの薄膜を堆積する薄膜形成方法において、該原料ガスは、該薄膜中のシリコンの原子濃度を抑制する機能を有するガスを含むことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301