特許

J-GLOBAL ID：200903055368618432

近赤外乃至可視光領域用積層型光偏光制御素子

発明者： 高橋 裕樹 ,  片岡 春樹
出願人/特許権者： 住友セメント株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055900
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265834
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 構成成分膜間の付着力が高く、生産歩留りにすぐれ、近赤外乃至可視光領域において、波長依存性のない消光比および挿入損失を示す光偏光制御素子を提供する。【構成】 複数の誘電体膜1および半導体薄膜3が交互に積層され、前記半導体薄膜3が、半導体薄膜芯層4と、誘電体構成元素を含み、芯層4の両側に配置された半導体側面層5とからなり、好ましくは、誘電体膜1が、素子内光伝播が基本モードのみを示すように規定された厚さd2を有する、近赤外乃至可視光用積層型光偏光制御素子。

請求項（抜粋）：

複数個の半導体薄膜と複数個の誘電体膜とが、交互に積層されている多層膜から素子であって、前記半導体薄膜の各が、(A)ゲルマニウム又はゲルマニウム合金からなる半導体薄膜芯層および(B)前記半導体薄膜芯層の両側に積層され、前記誘電体膜を構成している元素の1種を含み、かつ前記誘導体膜に接合している一対の半導体側面層からなることを特徴とする、近赤外乃至可視光領域用積層光偏光制御素子。

IPC (2件)：

G02F 1/015 505 ,  G02B 5/30

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-072603
  
• 特開昭61-140122
  
• 特公昭59-022366
  
• 特開平2-058206
  
• 特開昭53-086428