特許

J-GLOBAL ID：200903055380845533

半導体装置

発明者： 丸山 泰男 ,  那倉 健一 ,  佐藤 孝広 ,  長野 洋己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147425
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335642
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 ストライプの延長によって性能を低下させることなく、チャネル幅の増大によって電流駆動能力を向上させる。【解決手段】 ストライプ構造の横型MISFETを構成する一方の半導体領域であるソース領域と接続したソース取り出し配線の連結部と半導体基板主面の対向面に形成された電極導体層とを、半導体基板に設けた接続層にて導通させ、前記対向面に形成された電極導体層と前記ソース領域と接続したソース取り出し配線とを導通させる導体層を各ストライプ部分の半導体基板に設ける。【効果】 ソース取り出し配線と電極導体層の基板導体層とを導通させる導体層を各ストライプ部に設けてあるので、ストライプの長さの増加によるソース配線抵抗の増加を防止することができる。

請求項（抜粋）：

ストライプ状のゲート、ストライプ状の各半導体領域を夫々連結部によって一体としたストライプ構造の横型MISFETを有する半導体装置において、前記一方の半導体領域の連結部と前記半導体基板主面の対向面に形成された電極導体層とを、半導体基板に設けた接続層にて導通させ、前記対向面に形成された電極導体層と前記一方の半導体領域とを導通させる導体層を各ストライプ部分の半導体基板に設けたことを特徴とする半導体装置。