半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299442
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151352
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】セルフアライメントコンタクトプラズマエッチングを行う場合に、オーバーエッチングに対するプロセスマージンを増大させることを目的とする。【構成】層間膜の一部に窒化膜4を使用し、コンタクトプラズマエッチングの際に酸化膜3、5、6との選択比を制御することにより、オーバーエッチングに対するストッパーとして利用し、プロセスマージンを拡大する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜にコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法において、コンタクトホール開孔領域の一部に前記絶縁膜よりもエッチレートが遅い絶縁膜を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/302 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-207154
特開昭64-004048
特開平3-120838

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