特許
J-GLOBAL ID:200903055383314563
微小電子源
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
有我 軍一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-288476
公開番号(公開出願番号):特開2000-123716
出願日: 1998年10月09日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、NEAフォトカソードと同等の集積化が可能なレーザ発光素子を使用し、高輝度かつ低エネルギー分散特性を有する電子ビームを得ることができる微小電子源の構成を提案し、装置構成を小型化して、スループットの向上を図ることができる電子ビーム装置を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明の微小電子源は、半導体基板上に構成されたレーザ発光素子10と、半導体基板上に構成された電子放出素子20とを基本構成として有している。レーザ発光素子10は、例えば面発光レーザ等のように、半導体基板の一面側から該基板の主面に対して垂直方向にレーザ光Aを放出する特性を有している。また、電子放出素子20は、例えばフォトカソード等のように、基板の一面(裏面)側に照射された励起光により、半導体基板中の電子が励起し、他面(表面)側から垂直方向に電子(電子ビーム)Bを放出する特性を有している。
請求項(抜粋):
第1の半導体基板に構成され、該第1の半導体基板に対して垂直方向にレーザ光を放出するレーザ発光素子と、第2の半導体基板に構成され、前記レーザ発光素子から放出されたレーザ光が一面側に照射されることにより、他面側から電子ビームを放出する電子放出素子と、を具備することを特徴とする微小電子源。
IPC (3件):
H01J 1/34
, H01J 37/073
, H01S 5/18
FI (3件):
H01J 1/34 C
, H01J 37/073
, H01S 3/18 650
Fターム (9件):
5C030CC02
, 5C030CC10
, 5C035CC07
, 5C035CC10
, 5F073AB05
, 5F073AB16
, 5F073AB25
, 5F073AB27
, 5F073BA09
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