特許

J-GLOBAL ID：200903055390261718

撮像素子及びその動作方法

発明者： 久保田 節 ,  加藤 務 ,  鈴木 四郎 ,  瀧口 吉郎 ,  山崎 順一 ,  谷岡 健吉 ,  大島 徹也 ,  鮫島 賢二 ,  牧島 達男 ,  辻 和隆 ,  平井 忠明
出願人/特許権者： 日本放送協会 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185293
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036341
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 撮像素子において,光導電膜に内部でアバランシェ増倍が生じるほどの高電界を印加して使用する際に,特に,発生し易い画面欠陥や暗電流,残像等の増加現象を抑止し,高感度,高画質化を実現する。【構成】 撮像素子の光導電膜1を注入型接触を有する電荷注入層12,13と,注入される電荷を捕獲して空間電荷を形成するための電荷捕獲層14,15と,入射光を信号電荷に変換するための光電変換層11で構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも,光導電膜と,該光導電膜の光入射側界面に設けられた導電性薄膜から成る透光性電極と,入射光により生成された信号電荷を読み取るための手段を有する撮像素子において,該光導電膜が,少なくとも一方の界面に注入形接触を成す電荷注入層を有し,且つ該電荷注入層から注入される電荷を捕獲して空間電荷を形成するための電荷捕獲層と入射光の大部分を吸収して信号電荷に変換するための光電変換層を有することを特徴とする撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/08 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 C ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/08 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-222383