特許

J-GLOBAL ID：200903055390292877

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 目黒 健 ,  竹内 隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-309805
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115495
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】HBTのサブコレクタ層に3×1018cm-3を越えて高濃度のドーピングをしても電流増幅率βが低下しないHBT構造を得る。【解決手段】AlGaAs系又はInGaP系HBT用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたHBTにおいて、半絶縁性GaAs基板1とGaAsサブコレクタ層2、12との間にトリエチルガリウム(TEG)をGa源としたGaAsスペーサ層12を入れた構造とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、金属電極とのオーミックコンタクトを形成するn型の伝導を示すGaAs結晶からなるサブコレクタ層と、ベース層から電子を引き抜くn型の伝導を示すGaAs結晶からなるコレクタ層と、電子の流れを制御するp型の伝導を示すGaAs結晶又はInGaAs結晶又はAlGaAs結晶からなるベース層と、前述ベース層に対してヘテロ接合を形成し、電子をベース層へ注入しベース層からの正孔の注入を抑止するn型の伝導を示すAlGaAs結晶からなるエミッタ層と、金属電極とオーミックコンタクトを形成するn型の伝導を示すInGaAs結晶からなるエミッタコンタクト層とを順次積層して構成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記基板とサブコレクタ層との間にトリエチルガリウム(TEG)をGa源としたGaAsスペーサ層を設けたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72 H

Fターム (5件)：

5F003BC01 ,  5F003BC02 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32