特許
J-GLOBAL ID：200903055391519140
静電容量型圧力センサ及びその製造方法並びに圧力検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-352830
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198516
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 直線性がよく、温度特性に優れた静電容量型圧力センサを提供する。【構成】 シリコンウエハより薄膜状のダイアフラム3を支持させた角枠状の支持基板1を作成する。ダイアフラム4がその厚さ方向に自由に弾性変形できるように支持基板1に窪み6を作成し、ダイアフラム4に導電層による可動電極8を形成する。同様にしてダイアフラム5を支持させた別な支持基板2を作成する。ガラス基板より固定基板3を作成し、固定基板3の上下両面にそれぞれ固定電極12、13を作成する。それぞれの固定電極12、13に可動電極8、9を対向させて固定基板3の両面に支持基板1、支持基板2を接合する。また、支持基板2及び固定基板3には固定基板3上側のダイアフラム4に圧力を導入するための導入穴18を開口し、支持基板1及び固定基板3には下側のダイアフラム5に基準圧力を導入するための差圧穴17を開口して圧力センサAを作成する。
請求項（抜粋）：
1つ又は2つのダイアフラムと、当該ダイアフラムに設けられた2つの可動電極と各可動電極に対向する2つの固定電極とを有し、前記可動電極と前記固定電極を対向させて同じ圧力変化に対し静電容量が増加するコンデンサと静電容量が減少するコンデンサとを形成したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, G01L 19/04
, H01L 29/84
