特許
J-GLOBAL ID:200903055391869787

多層ガスセンサー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-156741
公開番号(公開出願番号):特開平11-326258
出願日: 1998年05月20日
公開日(公表日): 1999年11月26日
要約:
【要約】【課題】 半導体ガスセンサーのガス選択性を改善し、1つのセンサーで、メタンと一酸化炭素を選択的に検知できるガスセンサー素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 メタンガスセンサーの表面に一酸化炭素ガスセンサーを被覆した積層構造を気相法でつくり、メタンの検知のさいに妨害となる一酸化炭素を遮断する触媒膜としての機能を一酸化炭素ガスセンサー層に与えることを特徴とするガスセンサー素子の製造方法。【効果】 1つの素子で複数のガスを選択性良く検知できるようにしたセンサーを提供することが可能であり、ガスセンサーとして好適である。
請求項(抜粋):
メタンセンサーの表面を一酸化炭素センサーで被覆した積層構造を製造し、メタンの検知のさいに妨害となる一酸化炭素を遮断する触媒膜としての機能を一酸化炭素センサー層に与え、1つの素子でメタンと一酸化炭素の両方を選択性良く検知できるようにすることを特徴とする半導体ガスセンサー素子の製造方法。
IPC (2件):
G01N 27/12 ,  C01G 19/02
FI (2件):
G01N 27/12 B ,  C01G 19/02 Z

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