特許

J-GLOBAL ID：200903055393291030

半導体発光装置

発明者： 家地 洋之
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327016
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】感光体等の結像面上での光出力を均一にすることのできる発光ダイオードアレイチップを備えた半導体発光装置を提供する。【構成】少なくとも発光ダイオードの発光層と、該発光層を発光させるための電極を含む積層構造よりなり、積層端面2aより光出力7が得られる端面発光型発光ダイオード(2-1〜2-256)を、等間隔に設けた複数の第一分離溝11により各層を電気的・空間的に分離して形成してなる発光ダイオードアレイ2により構成した半導体発光装置において、発光ダイオードアレイチップ上の両端の発光ダイオード(2-1,2-256)がスネルの法則に従って光出射端面2aが16°以下の角度にカットされているために、他の発光ダイオード(2-2〜2-255)と異なった形状であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも発光ダイオードの発光層と、該発光層を発光させるための電極を含む積層構造よりなり、積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた複数の第一分離溝により各層を電気的・空間的に分離して形成してなる発光ダイオードアレイにより構成した半導体発光装置において、発光ダイオードアレイチップ上の両端の発光ダイオードがスネルの法則に従って光出射端面が16°以下の角度にカットされているために、他の発光ダイオードと異なった形状であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455