特許

J-GLOBAL ID：200903055394209125

半導体製造装置

発明者： 城崎 友秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106429
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297675
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ下での処理において、イオン衝突によるパーティクルの発生を抑えることができ、被処理体を所望形状に処理することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】 真空チャンバ内でプラズマ下で被処理体に処理を施す半導体製造装置であって、前記被処理体を載置する載置手段と、前記真空チャンバ内にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバから排気するための排気手段と、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具備し、前記真空チャンバは、プラズマが集中する部分が耐プラズマ性材料で構成され、その他の部分がSiO2 で構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内においてプラズマ下で被処理体に処理を施す半導体製造装置であって、前記被処理体を載置する載置手段と、前記真空チャンバ内にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバから排気するための排気手段と、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具備し、前記真空チャンバは、プラズマが集中する部分が耐プラズマ性材料で構成され、その他の部分がSiO2 で構成されることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/203 S