特許
J-GLOBAL ID:200903055395813050

微弱磁気センサー及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅賀 一樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-228481
公開番号(公開出願番号):特開平9-043322
出願日: 1995年08月02日
公開日(公表日): 1997年02月14日
要約:
【要約】【課題】 巻線技術を不要として、その精度をミクロンオーダーで管理できるようにし、検出の誤差や感度にムラがなく、構造上薄く小型化ができ、しかも断線等の外部要因の影響を受け難く、高い量産性を可能とした微弱磁気センサーを提案する。【解決手段】 所定のパターンを上下導通可能にエッチングした薄板状のエポキシ基板の両面に表裏面に環状エッチングを施したアモルファス薄板をパターンを合わせて積層してなるアモルファスコアの上下面にそれぞれYコイルをエッチングしたエポキシ基板とXコイルをエッチングしたエポキシ基板と環状パターンをエッチングしたアモルファスエポキシ基板とを相対するようにして積層してなることを特徴とする微弱磁気センサー。
請求項(抜粋):
所定のパターンを上下導通可能にエッチングした薄板状のエポキシ基板の両面に表裏面に環状エッチングを施したアモルファス薄板をパターンを合わせて積層してなるアモルファスコアの上下面にそれぞれYコイルをエッチングしたエポキシ基板とXコイルをエッチングしたエポキシ基板と環状パターンをエッチングしたアモルファスエポキシ基板とを相対するようにして積層してなることを特徴とする微弱磁気センサー。
IPC (2件):
G01R 33/02 ,  G01V 3/40
FI (3件):
G01R 33/02 B ,  G01R 33/02 L ,  G01V 3/40
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-236181

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