特許
J-GLOBAL ID：200903055396943675
3次元磁気検出装置および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051929
公開番号（公開出願番号）：特開2004-257995
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】水平方向および垂直方向の磁場を検出するに際して、磁気収束板を用いることに起因して生じる検出感度のずれを解消すると共に、垂直方向の磁場検出に対するS/N比を向上させる。【解決手段】X1〜X4は水平磁場におけるX方向の磁場強度を検出する磁気検出素子、Y1〜Y4はY方向の磁場強度を検出する磁気検出素子である。磁気検出素子Z1〜Z8も磁気収束板FCの端部領域に配置されている。垂直磁場成分に関しては、磁場は同方向から各磁気検出素子Xi,Yi,Ziに入射するため、全ての磁気検出素子からの出力を加算することにより、垂直磁場強度に対応した出力が得られる。ここで、(全ての磁気検出素子の合計数)≧{(前記基板に水平な面方向の磁場に対する前記磁気収束板の磁気増幅率)×(1対当たりの磁気検出素子数)}-1とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁気収束板および基板上に形成された複数の磁気検出素子を有する3次元磁気検出装置であって、
前記磁気収束板の端部領域に近接して少なくとも2対の磁気検出素子を配置し、それぞれの磁気検出素子対に含まれる磁気検出素子から順次もしくは同時に磁気検出信号を得るに際して、
全ての磁気検出素子の合計数≧{(前記基板に水平な面方向の磁場に対する前記磁気収束板の磁気増幅率)×(1対当たりの磁気検出素子数)}-1
なる条件を満たすことを特徴とする3次元磁気検出装置。
IPC (5件)：
G01R33/02
, G01R33/07
, G01R33/09
, H01L43/06
, H01L43/08
G01R33/02 L
, H01L43/06 A
, H01L43/06 S
, H01L43/06 U
, H01L43/08 A
, H01L43/08 S
, H01L43/08 U
, G01R33/06 H
, G01R33/06 R
2G017AA03
, 2G017AC07
, 2G017AD53
, 2G017BA15
