配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035269
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233446
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】気孔を含有する層間絶縁膜を用いた半導体装置の特性不良を抑止できる配線形成方法を提供する。【解決手段】タングステンプラグ20を形成した半導体基板11上の層間絶縁膜用塗布膜21に埋め込み配線用の開口21を形成し、側壁保護膜としてのTiN膜22を堆積し、エッチバックで層間絶縁膜用塗布膜21上のTiN膜22を除去した後、加熱処理により層間絶縁膜用塗布膜21を、気孔24を含有する層間絶縁膜25に変換し、その後TiN膜26とAl合金膜をスパッタリングし、リフローとエッチバックにより開口21にAl合金膜による埋め込み配線27を形成する。【効果】低誘電率の気孔を含有した層間絶縁膜を用いた、高速で低消費電力の高集積半導体装置の作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

気孔を含有した層間絶縁膜を用いる半導体装置の配線形成方法において、半導体ウェハ上に、気孔を含有した層間絶縁膜となる層間絶縁膜用塗布膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜用塗布膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの少なくとも側壁に、側壁保護膜を形成する工程と、前記側壁保護膜形成後に前記層間絶縁膜用塗布膜を加熱処理して、気孔を含有した層間絶縁膜を形成する工程と、前記側壁保護膜が形成された前記コンタクトホールに埋め込みプラグを形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 Q , H01L 21/28 301 R , H01L 21/95

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