特許

J-GLOBAL ID：200903055400845730

半導体装置

発明者： 大月 正人 ,  桜井 建弥
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008806
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283676
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 MCT,IGBTなどの従来のパワーデバイスでは困難であった、オン電圧の低減とスイッチング時間の短縮のトレードオフを大幅に改善し、高周波応用においての損失の低いパワーデバイスを実現する。【構成】 エミッタ電極7からn- 型のベース層3へ電子電流を供給する第1のMOS13nおよびp型のベース層4からエミッタ電極7へ正孔電流を流出させるモード切り換え用である第2のMOS14を設け、オン時にはサイリスタ状態により低オン電圧を実現し、オフ時には第2のMOS14を導通させてサイリスタ状態からトランジスタ状態に移行することによりターンオフ時間の短縮を図る。

請求項（抜粋）：

第1導電型のコレクタ領域,第2導電型ベース領域,第1導電型ベース領域及び第2導電型のエミッタ領域とからなるサイリスタ構造を有する半導体装置において、第2導電型のベース領域に対してその多数キャリアを注入可能の第1のMISFETと、この第1のMISFETとは独立に開閉可能であって第1導電型のベース領域からその多数キャリアを引き抜き可能の第2のMISFETとを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-148872
  
• 特開平3-136371
  
• 特開平4-268766