特許

J-GLOBAL ID：200903055401664690

半導体装置の製造方法

発明者： 藤本 裕雅 ,  西嶋 将明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024594
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244299
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】従来のFET製造工程を利用して任意の特性インピーダンスを持ったマイクロストリップ線路製造を可能とする。【構成】FET等の能動素子が形成された半導体基板11上に任意の誘電率をもった層を形成した後、マイクロストリップ線路を形成する。前記の層として、アモルファスシリコン31を使用し、マイクロスプリット線路を形成する。【効果】FET製造工程でマイクロストリップ線路も形成するため、MMICの集積度向上が容易に実現できる。また、誘電体膜の種類を増やしたり厚みを変えることによって、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスを容易に変えることができる。更に、アモルファスシリコン層を用いれば光の照射の有無によって回路の特性インピーダンスを容易に可変できるため、FET間や回路間の最適整合が容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタなどの能動素子をあらかじめ形成した半導体基板上に任意の誘電率(導電率)を持った層を形成し、所定の部分以外をエッチング工程によって除去した後前記の所定部分上にマイクロストリップ線路を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-020526
  
• 特開昭63-314818