特許

J-GLOBAL ID：200903055408790802

太陽電池およびその製造方法

発明者： 鈴木 喜之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334752
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141531
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 製造工程が簡略化され、かつ高い光電変換効率を有する太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるp型半導体層とn型半導体層とを有し、前記p型半導体層とn型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも1層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。

請求項（抜粋）：

第一の化合物半導体材料からなるp型半導体層とn型半導体層とを有する太陽電池であって、前記p型半導体層とn型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも1層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有することを特徴とする太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 L

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  4G077HA20 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA56 ,  5F045DA65 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051DA13 ,  5F051DA15 ,  5F051DA20