特許
J-GLOBAL ID：200903055412133875
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268445
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118619
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】従来のフォトマスク用の投影露光装置で使用でき、且つ位相シフト技術により極めて微細なパターンも効率よく転写することができる、クロムレス型の位相シフトマスクと、その位相シフトマスクに微細で高精度な位相シフトパターンを形成することが可能な製造方法とを提供する。【構成】主領域部10が少なくとも半導体用回路パターンを含み光透過部と位相シフト部で形成され、主領域部10を除く周辺部分はパターン名18、マスク名19及びフィデュシャルマーク20等の半導体用回路とは異なるパターンを含み少なくとも一部が遮光部17で形成されることを特徴とした位相シフトマスクと、第一のレジスト層により遮光パターンを形成した後、遮光部パターンをマスクとして位相シフト層をエッチングし、第二のレジスト層により主領域部10の遮光層をエッチングすることを特徴とする製造方法。
請求項（抜粋）：
透明基板に、遮光部と光透過部と位相シフト部とを備えた位相シフトマスクにおいて、主領域部が光透過部と位相シフト部で形成され、主領域部を除く周辺部分は少なくとも一部が遮光部で形成されることを特徴とした位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
