特許

J-GLOBAL ID：200903055415479977

窒化珪素回路基板及び半導体装置

発明者： 加曽利 光男 ,  堀口 昭宏 ,  角野 裕康 ,  上野 文雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061004
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251069
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 高熱伝導性、低誘電率かつ高強度の回路基板を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化珪素回路基板は、窒化珪素粒子からなる粒子相と低誘電率材料からなる粒子間相とを有する窒化珪素焼結体(1)を用いて形成され、窒化珪素焼結体中の粒子相の容積比が59〜65%であり、粒子相の窒化珪素粒子の平均一次粒子径が1.0μm以上であり、窒化珪素粒子は互いにネック部を介して接続されており、1つの窒化珪素粒子当りの該ネック部の断面積の総計が平均30〜70%である。

請求項（抜粋）：

窒化珪素粒子からなる粒子相と低誘電率材料からなる粒子間相とを有する窒化珪素焼結体を用いて形成される窒化珪素回路基板であって、窒化珪素焼結体中の該粒子相の容積比が50〜65%であり、該粒子相の窒化珪素粒子の平均一次粒子径が1.0μm以上であり、該窒化珪素粒子は互いにネック部を介して接続されており、1つの窒化珪素粒子当りの該ネック部の断面積の総計が平均で粒子表面積の30〜70%であることを特徴とする窒化珪素回路基板。

IPC (4件)：

C04B 35/584 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

C04B 35/58 102 L ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/46 H ,  H01L 23/14 C