特許
J-GLOBAL ID:200903055416049488

多層配線基板の半貫通スルーホール形成方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-175914
公開番号(公開出願番号):特開平7-015147
出願日: 1993年06月24日
公開日(公表日): 1995年01月17日
要約:
【要約】【目的】 多層配線基板の各層や全体の厚さにばらつきがあっても適切な半貫通スルーホールを容易且つ確実に形成することができる、半貫通スルーホールの形成方法及びその装置を提供する。【構成】 導電性キリ10と、導電性キリを制御する制御部26と、多層配線基板2の導電層との電気的接続部材22a〜22dと、該接続部材と導電性キリ10との間の電気的導通を検知するための電源20及び電流検知器A1 〜A4とを備える。制御部26は、多層配線基板2の目的とする導電層と電気的に接続されている電流検知器A1 〜A4 からの電流検知信号に基づき、多層配線基板2の上面側からの導電性キリ10の進行を停止させる。これにより、目的とする導電層までの半貫通スルーホールを形成する。
請求項(抜粋):
多層配線基板の片面側から導電性キリを進行させ、該導電性キリが多層配線基板の目的とする導電層と電気的に導通したことを検知して前記導電性キリの進行を停止させて、前記目的とする導電層までの半貫通スルーホールを形成することを特徴とする、多層配線基板の半貫通スルーホール形成方法。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  B23B 41/00 ,  B26F 1/16
引用特許:
審査官引用 (2件)

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