特許

J-GLOBAL ID：200903055419008294

太陽電池及びその製造方法

発明者： 森川 浩昭 ,  川間 吉竜 ,  有本 智 ,  篠田 幸雄 ,  石原 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106591
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293890
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 電極形成後に、薄膜シリコン太陽電池をカバーガラス貼り付けることにより、また貼り付けの際の樹脂の染み出しを抑制する方法を新たに採用して、電気的特性および透明樹脂の染み出しによる歩留り低下を防止する。【解決手段】 貫通孔3及びエミッター層2を有する半導体基板1上に第1の導電部6、7を形成する工程と、この半導体基板1の第1の導電部6、7を形成した側の面にフッ素系コーティング材9を形成するコーディング工程と、半導体基板1の第1の導電部6、7を形成した面と反対の面を透明樹脂5を介して透明基板4上に配置する工程と、半導体基板1と透明基板5とを透明樹脂5が貫通孔3より第1の導電部6、7上の第2の導電部形成領域にはみださないように結合させる結合工程と、フッ素系コーティング材9を除去する工程と、第2の導電部形成領域上に第2の導電部8を形成する工程とを含むものである。

請求項（抜粋）：

貫通孔及びエミッター層を有する半導体基板上に第1の導電部を形成する工程と、前記半導体基板の第1の導電部を形成した面と反対の面を透明樹脂を介して透明基板上に配置する工程と、前記半導体基板と前記透明基板とを前記透明樹脂により結合させる結合工程と、前記第1の導電部上に第2の導電部を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。