特許

J-GLOBAL ID：200903055425906830

電荷発生器及びその製造方法

発明者： 北沢 正志
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092130
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 数十Vの駆動電圧で容易に電荷を発生させることの可能な電荷発生器を提供する。【解決手段】 N型半導体基板1上にPウエル層からなる駆動ライン3を設けると共に、該Pウエル層駆動ライン3の表面にN+ 層4を拡散形成し、前記Pウエル層駆動ライン3とN+ 層4とで形成されるPN接合ダイオードを電子放出部とし、該ダイオードに逆バイアスを印加することによってアバランシェブレークダウンを起こさせ、電子又は電荷を放出するように構成する。

請求項（抜粋）：

大気中もしくは真空中に、電子もしくは電荷を放出する機能を有する電荷発生制御素子を1次元あるいは2次元状に配列して構成した電荷発生器において、前記電荷発生制御素子を半導体基板上に形成すると共に、該電荷発生制御素子の電子放出部をP-N接合を有するダイオードで構成し、該ダイオードに逆バイアスを印加することによって電子もしくは電荷を放出するように構成したことを特徴とする電荷発生器。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  G03G 15/05 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 C ,  H01J 31/12 C ,  G03G 15/00 116