特許

J-GLOBAL ID：200903055432016964

半導体光素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 尚文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026455
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 リークの少ない電流ブロック層を実現して、高温特性や高出力特性に優れ、かつ高速応答が可能な半導体光素子を提供する。【解決手段】 MOCVD法を用いて、面方位(100)のn-InP基板101上にn-InPクラッド層102からp-InPクラッド層105まで成長させ、その上にSiO2マスク106を形成しこれを用いてメサエッチングを行った後、In0.52Al0.48As層107、FeドープInP層108、n-InP層109を成長させた後、SiO2マスク106を除去し、p-InP埋込み層110およびp+-InGaAsコンタクト層111を成長させ、p側電極114およびn側電極115を形成する。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上に形成された活性層を含むメサストライプと、該メサストライプの両側面に形成されたp型側面カバー層と、該p型側面カバー層に接して前記n型半導体基板上に形成された電流ブロック層とを有する半導体光素子であって、前記電流ブロック層が、前記n型半導体基板表面上にp型半導体層を介することなく形成された、電子をトラップする不純物を有する半絶縁性半導体層を含んでいることを特徴とする半導体光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/227 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/343

Fターム (24件)：

5F041AA02 ,  5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F041FF14 ,  5F073AA23 ,  5F073AA44 ,  5F073AA51 ,  5F073AA64 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21