電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250415
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092818
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は高gm高線形性を有する、高歩留の電解効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は電解効果トランジスタに係り、第1の半導体層と第1の半導体層の表面に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップの狭い半導体層であり第1の半導体層に隣接する表面領域のバンドギャップが、反対側の表面領域のバンドギャップよりも狭い第2の半導体層と、第2の半導体層の表面に形成され、第2の半導体層よりもバンドギャップの広い第3の半導体層とが備えられたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、第1の半導体層の表面に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップの狭い半導体層であり、第1の半導体層に隣接する表面領域のバンドギャップが、反対側の表面領域のバンドギャップよりも狭い第2の半導体層と、第2の半導体層の表面に形成され、第2の半導体層よりもバンドギャップの広い第3の半導体層と、が備えられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H03F 3/193

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H03F 3/193

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