特許

J-GLOBAL ID：200903055434644733

薄層磁界センサー

発明者： グエンバンダウ,フレデリック ,  シュール,アラン ,  モンテーニュ,フランソワ
出願人/特許権者： トムソン-セーエスエフ
代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-504863
公開番号（公開出願番号）：特表2000-514920
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】本発明の磁界センサーは、平面内で磁気異方性を有し、第1および第2の磁化容易軸(XX',YY')を有す薄膜平面素子(1)を有する。この薄膜平面素子は、その中を第1の方向に第1の測定電流が流れるための電気的接続(2,2')と、第1の方向とは直交する第2の方向に電圧の測定を可能にする2つの電気的接続(3,3')とを有する。2つの磁化容易軸の大きさは概略等しい。第1の磁化容易軸と平行に、磁気抵抗素子とは絶縁して設けられ、その中を制御電流が流れるように構成した第1の導体(6)を有し、制御電流はセンサーが使用されていない時は素子の磁化の方向を第2の磁化容易軸と平行になるように磁界を発生する。

請求項（抜粋）：

第1および第2の磁化容易軸(XX',YY')を有し、平面内で抵抗異方性を有する磁気抵抗材料からなり、その中を第1の方向に第1の測定電流が流れるための電気的接続(2,2')と、第1の方向とは直交する第2の方向に電圧の測定を可能にする2つの電気的接続(3,3')とを有する第1の平面薄層素子(1)を有し、2つの磁化容易軸の大きさは同等であり、第1の磁化容易軸と平行に磁気抵抗素子とは絶縁して設けられ、その中を制御電流が流れるように構成した第1の導体(6)を有し、制御電流はセンサーが使用されていない時は素子の磁化の方向を第2の磁化容易軸と平行になるように磁界を発生することを特徴とする磁界センサー。

IPC (2件)：

G01R 33/09 ,  H01L 43/06

FI (2件)：

G01R 33/06 R ,  H01L 43/06 Z