特許

J-GLOBAL ID：200903055440082585

半導体装置の製造方法

発明者： 藤掛 秀樹
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096102
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260664
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極のキャップ絶縁膜が熱収縮しても、良好な形状のサイドウォール絶縁膜を形成する。【解決手段】異方性エッチングによりキャップ酸化膜4をパターニングする際にポリシリコン膜3を一部エッチング除去し、次に、ポリシリコン膜3に等方性エッチングを施し、その後、異方性エッチングによりポリシリコン膜3をパターニングする。更に、ポリシリコン膜3の側面を熱酸化し、ポリシリコン膜3とキャップ酸化膜4との間に段差が無くなったところで、サイドウォール絶縁膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に第1の絶縁膜を介して第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、異方性エッチングにより前記第2の絶縁膜を所定形状に加工するとともに、前記第1の導電膜の一部をエッチング除去する工程と、前記第1の導電膜を等方性エッチングする工程と、所定形状に加工された前記第2の絶縁膜をマスクとして前記第1の導電膜を異方性エッチングする工程と、熱処理により前記第1の導電膜の側面に第3の絶縁膜である熱酸化膜を形成する工程と、全面に第4の絶縁膜を形成し、前記第4の絶縁膜を異方性エッチングして、所定形状に加工された前記第2の絶縁膜及び前記熱酸化膜の形成された前記第1の導電膜の側面にサイドウォール絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 G