ウエハの化学的機械的研磨装置およびそれを用いてウエハを研磨する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107172
公開番号（公開出願番号）：特開平11-285967
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】静電容量型厚み計で測定した平坦度の値が0.5μm以下の表面平坦な半導体ウエハを製造することが可能な化学的機械的研磨装置の提供。【解決手段】回転軸(2)に取り付けられたヘッド(3)および該ヘッドに取り付けられたウエハを吸着することが可能な剛体の吸着パッド(4)を備えるウエハの上部チャック機構(A)、回転軸(10)に備えつけられた研磨テーブル(11)上に載置された研磨布(12)、該研磨布上に遊離砥粒スラリーを供給可能な研磨液供給機構(13)、前記吸着パッド(4)の表面に洗浄水を供給できる洗浄水供給機構(14)、および前記吸着パッド(4)の表面に圧力気体を吹きつけることが可能な気体供給ノズル(15)を具備するウエハの化学的機械的研磨装置(1)。

請求項（抜粋）：

回転軸(2)に取り付けられたヘッド(3)および該ヘッドに取り付けられたウエハを吸着することが可能な剛体の吸着パッド(4)を備えるウエハの上部チャック機構(A)、回転軸(10)に備えつけられた研磨テーブル(11)上に載置された研磨布(12)、該研磨布上に遊離砥粒スラリーを供給可能な研磨液供給機構(13)、前記吸着パッド(4)の表面に洗浄水を供給できる洗浄水供給機構(14)、および前記吸着パッド(4)の表面に圧力気体を吹きつけることが可能な気体供給ノズル(15)を具備するウエハの化学的機械的研磨装置(1)。

IPC (2件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/04 H , H01L 21/304 622 H

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