特許

J-GLOBAL ID：200903055445350529

プラズマエッチング法、プラズマエッチング装置、光学素子用成形金型及び光学素子

発明者： 山田 基弘 ,  三ツ木 直樹
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
代理人 (2件)： 田村 敬二郎 ,  小林 研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322125
公開番号（公開出願番号）：特開2006-131954
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】 プラズマエッチングを実行中に装置安定性を維持しかつプラズマエッチング加工の再現性を向上できるプラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置を提供する。また、プラズマエッチング法を用いて光学素子を精度及び再現性よく製造できる光学素子用成形金型及び光学素子を提供する。【解決手段】 このプラズマエッチング法は、プラズマエッチングにおいて測定された被加工基材の電位に基づいて高周波電力を制御することで、プラズマエッチング中の被加工基材の電位を所定範囲内に制御する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

プラズマエッチングにおいて測定された被加工基材の電位に基づいて高周波電力を制御することで、前記プラズマエッチング中の被加工基材の電位を所定範囲内に制御することを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (5件)：

C23F 4/00 ,  B29C 33/38 ,  C03B 11/00 ,  G02B 5/18 ,  H05H 1/00

FI (5件)：

C23F4/00 A ,  B29C33/38 ,  C03B11/00 ,  G02B5/18 ,  H05H1/00 A

Fターム (21件)：

2H049AA13 ,  2H049AA31 ,  2H049AA37 ,  2H049AA39 ,  2H049AA44 ,  4F202AF16 ,  4F202AH74 ,  4F202AR16 ,  4F202CA09 ,  4F202CA11 ,  4F202CB01 ,  4F202CD24 ,  4F202CK43 ,  4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DG15 ,  4K057DM05 ,  4K057DM16 ,  4K057DN03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2918892号公報
  
• 特表平07-503815号公報