特許

J-GLOBAL ID：200903055447316689

ドライエツチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-228580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047718
出願日： 1991年08月15日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料層のエッチングにアフターコロージョン対策として有効なSiO2 マスクを用い、還元性雰囲気下での対マスク選択性を高める。【構成】 ウェハ20に中性Arビームを照射してSiO2 マスク26の表層部に耐還元層26aを形成した後、BCl3 /Cl2 /HBr混合ガスを用いてAl-1%Si-0.5%Cu層25をエッチングする。耐還元層26aがBCl3 の還元作用からSiO2 マスク26を保護し、対マスク選択性が向上する。SiO2 マスク26を薄膜化できるので、これを除去せずに層間絶縁膜でウェハ20を被覆しても、平坦化に支障を来さない。中性ビーム照射とエッチングとを数段階に分けて繰り返せば、対マスク選択性が一層向上する。Al系材料層のエッチングを中性ビーム・アシスト機構で行っても良い。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン系材料層により構成されるパターンをマスクとしてアルミニウム系材料層をエッチングするドライエッチング方法において、被エッチング基板に中性ビームを照射して前記パターンの少なくとも表面に耐還元層を形成した後、前記アルミニウム系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。