特許
J-GLOBAL ID：200903055455448756

コンタクトホール形成方法

発明者：
川本 英明

川本 英明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087400
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270557
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】エッチングマスク形成時に下層マスクパターンとのマスクの合わせずれ(目ずれ)が生じた場合においても、開口径の安定したコンタクトホールを、デバイス特性に悪影響を及ぼすことなく形成する半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】ゲート電極間に開口するコンタクトホールのエッチングマスクの開口径をゲート電極間隔よりも大きく形成し、コンタクトエッチング時のエッチングストッパとなるシリコン窒化膜をゲート電極上にのみ形成し、コンタクトホール形成のためのエッチングを行うことにより、ゲート電極上部がコンタクトエッチング時にエッチングされることを防ぎ自己整合的に一定した開口面積をもつホールを形成し、シリコン酸化膜を全面成長させ、酸化膜のエッチバックを行いゲート側面に絶縁物を形成してコンタクトホールを形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極間に開口するコンタクトホールを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、コンタクトホール形成のためのエッチングの際にエッチングストッパとなるシリコン窒化膜を上部に持つゲート電極構造を形成し、コンタクトホール形成用のエッチングマスクの開口幅を、前記ゲート電極間隔と同等か、もしくはこれより大とし、前記ゲート電極構造の上部がコンタクトホール形成のためのエッチング時に同時にエッチングされることを防ぎながら自己整合的にコンタクトホールを形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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