特許

J-GLOBAL ID：200903055461054808

誘電体薄膜素子

発明者： 喜多 隆介 ,  荒井 尚子 ,  増田 義行 ,  大谷 昇 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051192
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 ICチップの小型化、高集積化を行なう上で、必要不可欠であるキャパシタ面積縮小のための高誘電率薄膜の形成が、半導体プロセスに適合できる低い温度で可能であり、なおかつ容量の温度依存性が小さい誘電体薄膜素子を提供する。【構成】 少なくとも電極と誘電体薄膜とを有する誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が2層構造にて形成され、下層の誘電体薄膜の結晶化温度が、上層の誘電体薄膜の結晶化温度よりも低い誘電体薄膜であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも電極と誘電体薄膜とを有する誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が2層構造にて形成され、下層の誘電体薄膜の結晶化温度が、上層の誘電体薄膜の結晶化温度よりも低い誘電体薄膜であることを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01B 3/12 326 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-177836   出願人：日本電気株式会社
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239696   出願人：オリンパス光学工業株式会社