特許
J-GLOBAL ID：200903055461561351
薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075236
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【構成】 スパッタリング中の加熱温度、スパッタガス流量比、電極印加電力の内の少なくとも一つを変化させて、透明導電薄膜の厚さ方向の膜質を制御すること。【目的】 薄膜あるいは半導体素子にプラズマダメージを与えることなく膜質を安定化することを目的とする。【効果】 透明導電膜の厚さ方向のエッチングレートがコントロールでき、パターンエッジのテーパー形状を任意に選択できるため、マスクに忠実なパターニングが可能となり微細化にも容易に対応できる。また、この導電薄膜上に別の薄膜を積層する場合にもカバレージ性について特別な配慮は必要なく量産性に優れる。
請求項（抜粋）：
金属酸化物あるいは金属をターゲットとしてスパッタリング法により透明導電薄膜を所定の厚さに堆積する薄膜形成方法において、スパッタリング中の成膜条件を段階的に変化させ、金属酸化物からなる透明導電薄膜の厚さ方向の膜質を一定あるいは変化させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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