特許
J-GLOBAL ID:200903055465589510
カーボンナノチューブ共振トランジスタおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-558173
公開番号(公開出願番号):特表2008-533704
出願日: 2006年03月02日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
共振トランジスタは、基板と、基板上に形成されたソースおよびドレインと、入力電極と、カーボンナノチューブゲートとを含む。ソースとドレインとの間には、ギャップが形成されている。入力電極は、基板上に形成されている。カーボンナノチューブゲートは、その一端がコンタクト電極に固定され、ギャップおよび入力電極の真上に配置されており、片持ち支持されていることが好ましい。
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に形成されたソースと、
前記ソースとの間にギャップを形成して前記基板上に前記ソースに隣接して形成されたドレインと、
前記基板上に形成された入力電極と、
前記ギャップおよび前記入力電極の真上に配置され、コンタクト電極に一端が固定されたカーボンナノチューブゲートとを含む、共振トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/06
FI (6件):
H01L29/78 622
, H01L29/78 617K
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 617S
, H01L29/58 G
, H01L29/06 601N
Fターム (15件):
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA09
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104GG09
, 5F110AA01
, 5F110AA30
, 5F110BB13
, 5F110CC01
, 5F110EE01
, 5F110EE22
, 5F110EE29
, 5F110FF01
, 5F110GG02
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