特許
J-GLOBAL ID:200903055465589510

カーボンナノチューブ共振トランジスタおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-558173
公開番号(公開出願番号):特表2008-533704
出願日: 2006年03月02日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
共振トランジスタは、基板と、基板上に形成されたソースおよびドレインと、入力電極と、カーボンナノチューブゲートとを含む。ソースとドレインとの間には、ギャップが形成されている。入力電極は、基板上に形成されている。カーボンナノチューブゲートは、その一端がコンタクト電極に固定され、ギャップおよび入力電極の真上に配置されており、片持ち支持されていることが好ましい。
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上に形成されたソースと、 前記ソースとの間にギャップを形成して前記基板上に前記ソースに隣接して形成されたドレインと、 前記基板上に形成された入力電極と、 前記ギャップおよび前記入力電極の真上に配置され、コンタクト電極に一端が固定されたカーボンナノチューブゲートとを含む、共振トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/06
FI (6件):
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/06 601N
Fターム (15件):
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE22 ,  5F110EE29 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02

前のページに戻る