特許
J-GLOBAL ID：200903055468146228
シヨツトキーバリア半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235210
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075099
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードとpinダイオードの混成構造からなる半導体装置の順方向電圧損失を低減する。【構成】ショットキーバリア領域の直下の半導体層のバリアから遠い側に高不純物濃度で同一導電型の低抵抗領域を設けることにより、ショットキーバリアと直列の半導体層の抵抗を低減して順方向損失を小さくする。
請求項（抜粋）：
一側に高不純物濃度の第一導電型の第二層の隣接する第一導電型の第一層の表面層内に選択的に第二導電型の接合ダイオード領域が設けられ、表面上にその接合ダイオード領域の間で第一層に接触してショットキーバリアを形成する金属層が被着し、第二層の表面にオーミック接触する金属層が被着するものにおいて、第一層のショットキーバリア金属層の接触する部分に対向する第二層との界面に接して高不純物濃度の第一導電型の領域が形成されたことを特徴とするショットキーバリア半導体装置。
IPC (2件)：
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