特許

J-GLOBAL ID：200903055468786553

太陽電池の製造方法および製造装置

発明者： 南方 量二 ,  中林 敬哉
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224285
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高性能の太陽電池を低コストで製造できる太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1の表面に互いに同じ導電型で不純物濃度が異なる不純物拡散領域4-1、4-2を形成する。そのために、半導体基板1の表面の不純物拡散領域4-1、4-2を形成すべき各領域上に、拡散すべき不純物をそれぞれその領域に対応する濃度で含んだ液体2-1、2-2を、インクジェット塗布法によって拡散源として塗布する。次に、熱処理を行って、その拡散源2-1、2-2から上記不純物をそれぞれその領域に拡散させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に互いに同じ導電型で不純物濃度が異なる不純物拡散領域を形成する太陽電池の製造方法において、上記半導体基板の表面の上記不純物拡散領域を形成すべき各領域上に、拡散すべき不純物をそれぞれその領域に対応する濃度で含んだ液体を、インクジェット塗布法によって拡散源として塗布し、熱処理を行って、その拡散源から上記不純物をそれぞれその領域に拡散させることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/225

FI (2件)：

H01L 21/225 R ,  H01L 31/04 A

Fターム (6件)：

5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051CB30 ,  5F051EA10 ,  5F051EA13 ,  5F051EA20