高耐圧横型半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316451
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】曲線部分の素子終端部のn- 領域の不純物濃度を最適化することで、この部分の電界強度の緩和を図り、高耐圧化を図る。【構成】p- 基板1の表面層にn- 領域2を選択的に形成し、n- 領域2の表面層に選択的にn+ カソード領域3を形成し、n- 領域2の表面とp- 基板1とを接続するp+ の接続領域4を形成し、n- 領域2の表面層に接続領域3と接して、n+カソード領域4とは分離されて、n領域7が形成される。接続領域4とn- 領域2とが接する第2接合32およびp- 基板1とn- 領域2とが接する第1接合31とを、逆バイアスする電圧を印加した場合に、この第1接合31と第2接合32の近傍の電界強度が絶縁破壊電界強度に達する以前に、第1接合31からn-領域2およびさらにn領域7に伸びた空乏層端20がn領域7およびn- 領域2の表面付近に到達するように、n領域7の不純物濃度を比較的高濃度に調整する。

請求項（抜粋）：

第1導電形の第1領域の表面層に選択的に形成された第2導電形の第2領域と、第2領域の表面層に選択的に形成された第1導電形または第2導電形の高濃度の第3領域とを備え、第2領域の表面と第1領域とを接続する第1導電形の高濃度の接続領域である第4領域を形成し、第4領域と第2領域とが接する第2接合および第1領域と第2領域とが接する第1接合とを逆バイアスする電圧を印加した場合に、この第1接合と第2接合の近傍の電界強度が破壊電界強度に達する以前に、第1接合から第2領域に伸びた空乏層が第2領域の表面もしくは表面の極近傍に到達することで、第2領域の不純物濃度を比較的高濃度にしても高耐圧が得られる構造(所謂リサーフ構造)を有する横型半導体素子において、素子終端部の第2領域の不純物濃度と素子終端部以外の個所(以下、通常部という)の第2領域の不純物濃度とがそれぞれ異なった値に設定されることを特徴とする高耐圧横型半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 652 P , H01L 29/91 D

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