特許
J-GLOBAL ID:200903055472423414

疎水性ヒュームドシリカの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ウオーレン・ジー・シミオール
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-004790
公開番号(公開出願番号):特開平11-246210
出願日: 1999年01月12日
公開日(公表日): 1999年09月14日
要約:
【要約】【目的】 ゴム組成物における補強充填剤として有用な疎水性ヒュームドシリカの製造法を提供することである。【構成】 その方法は、ヒュームドシリカの水性懸濁液を触媒量の酸の共存下で有機ケイ素化合物と接触させてヒュームドシリカの疎水性化をさせる第1の工程からなる。望ましい方法において、その第1の工程は、有機ケイ素化合物でヒュームドシリカの疎水性化を促進する水混和性有機溶媒の共存下で行う。使用されるヒュームドシリカは、50m2/g以上のBET表面積を有する。この方法の第2の工程において疎水性ヒュームドシリカの水性懸濁液は、水-非混和性有機溶媒と0.1:1以上の溶媒:シリカの重量比で接触させて、水性相から疎水性ヒュームドシリカを分離させる。望ましい方法において、回収された疎水性ヒュームドシリカは100m2/g〜750m2/gの範囲内の表面積を有する。
請求項(抜粋):
下記の工程(A)及び(B)からなることを特徴とする疎水性ヒュームドシリカの製造法:(A) ヒュームドシリカの水性懸濁液を、(1)触媒量の酸及び(2)次式R1aHbSiX4-a-b (1),R2nSiO(4-n)/2 (2)及び(R33Si)2NH (3)(式中の各R1は炭素原子数が1〜12の炭化水素基から独立に選び;各R2は水素又は塩素原子及びヒドロキシ基又は炭素原子数が1〜12の炭化水素基からなる群から独立に選ぶ、但しR2置換基の少なくとも50モル%は炭化水素基である;各R3は塩素、ヒドロキシ基及び炭素原子数が1〜12の炭化水素基からなる群から独立に選ぶ、但しR3置換基の少なくとも50モル%は炭化水素基である;各Xはハロゲン原子、炭素原子数が1〜12のアルコキシ基及び炭素原子数が1〜12のアシルオキシ基からなる群から独立に選ぶ;a=1,2又は3;b=0又は1;a+b=1,2又は3である、但しb=1のときは、a+b=2又は3である;nは2〜3の整数である)によって表されるオルガノシランからなる群から選んだ有機ケイ素化合物と接触させて疎水性ヒュームドシリカの水性懸濁液を生成させる工程;及び(B) 工程(A)の疎水性ヒュームドシリカの水性懸濁液と水-非混和性有機溶媒とを0.1:1の溶媒:シリカ重量比で接触させることによって、水性懸濁液から疎水性ヒュームドシリカを分離する工程。
IPC (2件):
C01B 33/18 ,  C08K 3/36
FI (2件):
C01B 33/18 Z ,  C08K 3/36
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特許第1110331号
  • 消泡剤
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-311767   出願人:東芝シリコーン株式会社
  • 撥水性シリカゾルの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-086129   出願人:出光興産株式会社
審査官引用 (3件)
  • 特許第1110331号
  • 消泡剤
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-311767   出願人:東芝シリコーン株式会社
  • 撥水性シリカゾルの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-086129   出願人:出光興産株式会社

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