特許
J-GLOBAL ID：200903055473956041

半導体レーザアレイおよびその製造方法

発明者：
佐々木 達也

佐々木 達也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015092
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 発振波長の異なる半導体レーザがアレイ状に集積された素子を簡単な作製工程によって再現性よく製作する。【構成】 活性領域31、位相制御領域32、およびDBR領域33からなる波長可変半導体レーザがn素子アレイ状に配置された素子をMOVPE選択成長を用いて製作する。均一な周期を有する回折格子がDBR領域33に形成された、InP基板1の表面に誘電体薄膜ストライプマスク20を形成する際、DBR領域33でのマスク幅をチャンネルごとにWm 1 、Wm 2 、・・・Wm n と変化させ、それぞれのストライプマスク20に挟まれた導波領域21に、少なくとも量子井戸光導波層からなる多層構造を選択的に形成する。チャンネルごとにDBR領域33の導波層厚が変化するために導波層の等価屈折率が変化し、発振波長が変化する。こうして回折格子の周期を変える必要なく一回の結晶成長で導波層を作製できる。
請求項（抜粋）：
活性領域、位相制御領域ならびにDBR領域からなり、選択的に形成され少なくとも量子井戸構造からなる光導波層を有する半導体レーザが複数個並列に配置された半導体レーザアレイにおいて、複数の前記DBR領域に形成された回折格子の周期がすべて同一であり、かつ前記光導波層の層厚が異なることを特徴とする半導体レーザアレイ。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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