特許
J-GLOBAL ID：200903055478041190
低融点無機材料を使用する集積回路構造の改良された平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-013590
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074146
出願日： 1991年02月04日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】低融点無機平坦化物質を使用してCVD装置内で集積回路構造を平坦化する平坦化方法であり、この方法はシリコン酸化物の様な絶縁物質層上にホウ酸ガラスの様な低融点無機平坦化層を堆積し、低融点無機平坦化層をドライエッチングして上記構造を平坦化し、絶縁物質の別の層を堆積して吸湿性を有する場合がある低融点ガラス平坦化層の残りの部分を包囲する。この方法は、真空装置の外で通常行われる有機物質の平坦化層の付与と関連する分離したコーティング、乾燥、硬化の工程の必要を除去する。好適な実施例においては、堆積工程及びエッチング工程の全てが装置から集積回路構造を取り除くことなしに実施される。特に好適な実施例においては、工程の全てが装置の同じチャンバ内で実行される。付加的なエッチング工程が第1絶縁層を堆積した後で平坦化層を堆積する前に行われて絶縁層内にボイドが形成されることを阻止することができる。
請求項（抜粋）：
(a) 集積回路構造上に絶縁材料の第1層を堆積し、(b) 上記絶縁層上に低融点無機平坦化層を堆積し、(c) 上記無機平坦化層をドライエッチングしてこの層の少なくとも一部を除去し前記構造を平坦化し、そして(d) 上記構造上に絶縁材料の第2層を堆積して前記平坦化層の残りの部分を包囲することからなる集積回路構造の平坦化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/316
H01L 21/302 L
, H01L 21/31 C
