特許
J-GLOBAL ID：200903055494876994
磁性多層膜および磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-361376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200364
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 基板2上に下地層3を形成し、この下地層3上に、非磁性薄膜4を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜5を有する磁性多層膜1において、前記下地層3が、NiFeまたはNiFeCoにZr、Nb、HfおよびTaのうち少なくとも一種が添加された材料で形成されている。【効果】 本発明によれば、小さい外部磁場で数%〜数十%の大きい抵抗変化率をもつ磁性多層膜が得られる。従って高感度のMRセンサおよび高密度磁気記録が可能なMRヘッド等のすぐれた磁気抵抗変化素子を提供することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に下地層を形成し、この下地層上に、非磁性薄膜を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜を有する磁性多層膜において、前記下地層が、NiFeまたはNiFeCoにZr、Nb、HfおよびTaのうち少なくとも一種が添加された材料で形成されていることを特徴とする磁性多層膜。
IPC (3件)：
C23C 14/14
, C23C 14/32
, H01L 43/02
