特許
J-GLOBAL ID：200903055499030830
レーザマーク付き半導体ウエーハ製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-219386
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】【課題】 加工歩留りを伴うことなく、エッチングによるドット変形を防止する。【解決手段】 ラッピング後のエッチングを省略されたポリッシング前のラップドウエーハにレーザマーキング加工を行う。又は、ラッピング後にエッチングを受けたポリッシング前のエッチドウエーハにレーザマーキング加工を行う。エッチングの省略、又はエッチング後のレーザマーキング加工により、エッチングによるドット変形が防止される。レーザマーキング加工でウエーハ表面に付着した飛散物は、レーザマーキング加工後の洗浄及びポリッシング後の洗浄で除去される。
請求項（抜粋）：
10μm以上のドット深さのレーザマークをもつ半導体ウエーハの製造方法であって、ラッピング後のエッチングを省略されたポリッシング前のラップドウエーハにレーザマーキング加工を行うことを特徴とするレーザマーク付き半導体ウエーハ製造方法。
IPC (5件)：
B25H 7/04
, B23K 26/00
, C30B 29/06
, H01L 21/02
, B23K101:40
B25H 7/04 E
, B23K 26/00 B
, C30B 29/06 B
, H01L 21/02 A
, B23K101:40
4E068AB00
, 4E068DA10
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077FG02
