特許

J-GLOBAL ID：200903055500419398

配線形成方法およびこれに用いる配線形成装置

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241923
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 開口径が微細でアスペクト比の大きい接続孔の内部を高圧リフロー法によりAl系配線膜で埋め込む際に、配線膜表面の酸化を防止して埋め込み特性を改善する。【構成】 予め層間絶縁膜に接続孔を開口したウェハWをスパッタリング装置100に搬入し、スパッタリング・ユニット6,7内でコンフォーマルなバリヤメタルと該接続孔内に空洞部を残した状態のAl系配線膜を順次成膜する。次に、ウェハWをプラズマ処理ユニット8に送り、H2 S等のイオウ系化合物を放電解離させたプラズマ中からS(イオウ)を堆積させてAl系配線膜の表面をパッシベートする。次にウェハWを大気搬送して高圧リフロー装置101へ搬入し、加熱ユニット11でSを昇華除去した後、高圧リフロー・ユニット13内で高圧リフローを行い、Al系配線膜を接続孔内に押し込む。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に開口された接続孔をその開口プロファイルに倣ってバリヤメタルで被覆する工程と、前記バリヤメタル上に配線膜を成膜する工程と、前記配線膜の表面をイオウもしくは窒化イオウ系化合物の少なくとも一方よりなる保護膜で被覆する工程と、基体を加熱することにより前記保護膜を除去する工程と、前記保護膜を除去後、直ちに前記配線膜を高圧リフロー法により前記接続孔に埋め込む工程とを有する配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R